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近年來由于有機複合材料具有低制造成本、高應(yīng)力柔軟度和多功能用途等
獨特的優(yōu)勢，以及在太陽能電池、有機電晶體和發(fā)光二極體等應(yīng)用上的潛力，
引發(fā)廣泛的研究興趣，許多先進元件不斷被提出。在這篇論文中，我們研究一
個利用有機聚合物鏈結(jié)金奈米粒子形成主動層的新穎有機非揮發(fā)性記憶體的載
子傳輸機制以及記憶體本身的特性，并且提出利用橢圓儀建構(gòu)出非破壞性的量
測方式來精準且有效的量測有機薄膜本身的折射系數(shù)、消光系數(shù)和厚度。
我們可由兩層金屬中間夾著一個有機薄膜(PCm)鏈結(jié)金奈米粒子所形成主動層的
記憶體元件中觀察到重覆可再現(xiàn)的電性雙穩(wěn)態(tài)行為。
從穿隧式電子顯微鏡中(TEM)，可以明顯的觀察到在有機層中的金奈米粒子分布尺寸約在3-5奈米
大小，性質(zhì)相當穩(wěn)定。當對此元件施加一個高于臨界電壓的偏壓，元件的電流
值會突然從低傳導率轉(zhuǎn)態(tài)成高傳導率，這兩個電流值的差異可達到約四個數(shù)量
級。電荷在此元件中的主要電流傳導機制是Frankel-Poole穿隧，代表著載子在
有機層中是藉由缺陷所形成的跳躍穿隧，而非直接穿隧。
對該元件進行耐久性以及資料保存能力測試，結(jié)果顯示元件在進行多次讀
寫週期并不會有明顯的特性衰減，且元件對于資料的保存能力可以超過十年，
這是相當良好的記憶體特性。綜合上述，如此一個新穎的有機聚合物鏈結(jié)金奈
米粒子之有機非揮發(fā)性記憶體有很大的發(fā)展?jié)摿梢詰?yīng)用于下一世代的發(fā)揮發(fā)性記憶體
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