房山表面輪廓量測(cè)蝕刻誤差造成其光學(xué)特性的改變

作者：發(fā)布時(shí)間：2022-07-02 20:57:54點(diǎn)擊：1960

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表面輪廓量測(cè)蝕刻誤差造成其光學(xué)特性的改變

研究利用一般積體電路制程方式來(lái)制作繞射式微透鏡。另外，利用灰階光罩來(lái)制作微透鏡，

以做未來(lái)灰階光罩的制程依據(jù)。

采用之半導(dǎo)體制程方法包括微影技術(shù)及蝕刻。于元件制作完成后，用表面輪廓量測(cè)(Dektak)以及掃描式電子顯微鏡(SEM)

來(lái)量測(cè)蝕刻后的形狀，

并在利用杜曼-格林(Twyman-Green)干涉法以及云紋(moiré fringes) 干涉法來(lái)量測(cè)焦距。

分析微透鏡在制作的過(guò)程中所引起的蝕刻誤差造成其光學(xué)特性的改變，

計(jì)算元件在制作各步驟中誤差所容許的范圍，以為制程之誤差

年來(lái)在微光機(jī)電元件與系統(tǒng)制作技術(shù)的快速發(fā)展下，多樣化過(guò)程中，

體積小、功能多、行動(dòng)性佳、價(jià)格便宜等等

傳統(tǒng)光學(xué)元件已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足這些需求了。此外在光、機(jī)、電一體系統(tǒng)整合的潮流中，

微小光學(xué)系統(tǒng)已佔(zhàn)有舉足輕重的地位，因此研究如何制作微小型、高效率、

易制作的光學(xué)元件已是當(dāng)今光學(xué)界刻不容緩的任務(wù)。

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