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使用SEM電子顯微鏡量測焊接熔深的微觀結構
制程參數對微流道熱影響區之影響
利用 SEM電子顯微鏡 所拍攝典型的微流道熱影響區金相圖，
顏色較暗處為其熱影響區
有制程條件下，微流道熱影響區縱深范圍均約 50μm，誤差±5μm。
可知，雷射淬火產生的變形相當小，因為它是高能量熱源的移動淬火，
熱影響區比普通淬火方法小得多；另外將雷射作用于工件之試驗
區時，由于基材的質量遠大于工件之試驗區，使工件
試驗區急遽冷卻，屬于自冷淬火，亦將導致工件變形
量極小且熱影響區較小。
雖然其制程條件不同，但在所設定的制程條件下，其所
供給的熱能決大部份是用于將硅芯片直接汽化，導致
其微流道寬度與深度的差異。而對于其剩馀的熱能所
引起的熱影響區則無明顯之差異。因此，微流道熱影
響區在各制程參數下，其影響的變化差異并不明顯
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