門頭溝掃描電子顯微鏡放大倍率可達(dá)30萬(wàn)倍
作者: 發(fā)布時(shí)間:2022-07-02 20:58:24點(diǎn)擊:1970
信息摘要:
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掃描電子顯微鏡放大倍率可達(dá)30萬(wàn)倍
場(chǎng)效發(fā)射式掃描電子顯微鏡
觀察材料表面縱深形貌,放大倍率可達(dá)30萬(wàn)倍。
應(yīng)用領(lǐng)域:
包含納米材料、半導(dǎo)體、封裝、印刷電路板、BGA、光碟片、LED等產(chǎn)業(yè)之表面、故障分析等。
特別注意事項(xiàng):
樣品或試片準(zhǔn)備需知:
樣品材質(zhì)為固體、尺寸3mm~50mm見(jiàn)方或圓形或粉體、厚度<2cm。
工作環(huán)境要求: 有空調(diào)環(huán)境、隔磁、防震。
多功能場(chǎng)發(fā)射掃描式電子顯微鏡附加了能量分散X光譜儀(EDS)、陰極發(fā)光分析儀(CL)及電子背向散射繞射儀(EBSD),
主要應(yīng)用于固態(tài)、納米材料的表面形貌及微結(jié)構(gòu)影像觀察,
并同時(shí)進(jìn)行微區(qū)的化學(xué)組成、發(fā)光特性及結(jié)晶方位等分析。EDS用于成份分析,包括定性、半定量、
特定區(qū)域化學(xué)元素之mapping及l(fā)ine scan等。CL用于發(fā)光光譜量測(cè)、CL影像分析、微量雜質(zhì)、缺陷分析等。
用于多晶材料之晶體結(jié)構(gòu)、取向、微區(qū)織構(gòu)、晶粒、晶界性質(zhì)分析等。
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