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暗視野觀察型光學(xué)顯微鏡用于觀察細(xì)胞
研究一維鎵基米材的合成、鑒定與應(yīng)用，共分為以下幾個主題：
(1)純氧化鎵米線之合成技術(shù)，
(2)一維豆莢-氧化鎵(Au-peapodded Gallium Oxide Nanowires)
復(fù)合米線之合成技術(shù)與米元件制作，
(3) 一維豆莢-氧化鎵復(fù)合米線的光學(xué)及電學(xué)性質(zhì)測研究
在此介紹種一維豆莢-氧化鎵米線的制備方式，(a)一階段合成法：
藉由屬鎵，及二氧化矽于800°C 下反應(yīng)，可生成具有雙晶結(jié)構(gòu)之一維豆莢
復(fù)合米線，(b)二階段合成法: 將一維核殼-氧化鎵米線(Core-Shell
Au-Gallium Oxide Nanowires)，經(jīng)由簡單地?zé)嵬嘶饘?shí)驗(yàn)，而制作出許多各式各樣
的一維豆莢-氧化鎵米線。
另外，借著使用暗視野模式光學(xué)顯微術(shù)研究其區(qū)域表面電漿共振特性
(Localized Surface Plasma Resonance, LSPR)，發(fā)現(xiàn)其散射光譜的特征峰，
會隨著鑲埋在氧化鎵米線內(nèi)的米顆之徑大小及同的形，而有同的峰
值。而此種豆莢結(jié)構(gòu)之復(fù)合米線材，因其區(qū)域表面電漿共振特性，
使其具有對532 及658 米波長之可光的高感光吸收效應(yīng)，因此具有很大的潛用
制作米光電元件
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