大家好，這里是老上光顯微鏡知識課堂，在這里你可以學到所有關于顯微鏡知識，好的，請看下面文章： 用戶1914683563 2018—05-19 18:22
    
     面對美國4月份對中興通訊芯片的禁運，我們感到被別人牽著很痛苦，而生產高性能芯片的關鍵設備是光刻機。今天我們來談談光刻機。
    
     掩模對準器(Mask Aligner)，又稱掩模對準光刻、曝光系統、光刻系統等，其中掩模對準光刻是比較常用的光刻，本文主要收集數據和實例來掩模對準光刻。
    
     高端投影光刻機可分為兩類：步進投影光刻和掃描投影光刻。分辨率通常介于十納米和幾微米之間。高端光刻機被稱為世界上更先進的儀器。高端光刻機是現代光學工業的結晶。制造起來很困難。目前，世界上只有少數幾家公司能生產。
    
     國外光刻品牌主要包括荷蘭ASML、日本尼康和日本佳能，國內光刻機主要為擁有自主知識產權的上海微電子設備有限公司的SMEE。目前，公司的光刻機已初步形成一系列產品，并開始在國內外銷售。
    
     制造和發展的低端光刻機是接近和接觸式光刻機，其分辨率通常超過幾微米，主要是德國、美國和中國品牌。
    
     光刻機的主要性能指標是尺寸范圍、分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等硬指標。
    
     1）分辨率是光刻工藝所能達到的最的線精度。光刻的分辨率主要受光源的衍射極限的限制，也就是說，我們稱之為阿貝極限（光學顯微鏡的分辨率極限約為波長的一半）。一般來說，光刻機的分辨率受光學系統、光致抗蝕劑和光刻工藝的限制。
    
     一般光刻工藝要經過晶片表面的清洗、干燥、涂布、旋涂光致抗蝕劑、軟干燥、對準曝光、干燥、顯影、硬干燥、蝕刻等工序。用光刻膠將掩模上的圖案或電路結構轉移到硅片上，然后通過光學蝕刻在硅片上蝕刻內容。
    
     曝光系統是光刻機的核心部件之一。為了減小衍射極限，采用大量的紫外光、深紫外光和極紫外光作為光源，如水銀燈、準分子激光器等，曝光系統主要實現平滑衍射效應、均勻照明、成膜等功能。閃爍和冷光處理、強光照明和光強調部分。曝光模式分為接觸接近、投影和直接寫入。但一般來說，在曝光系統中使用的光源必須滿足以下要求：
    
     波長越短，邊緣越銳利，用于刻蝕的特征尺寸越小，刻蝕工藝對精度的控制越好。
    
     曝光區域中光的均勻性或平行性越高，硅片上刻蝕痕跡的深度和寬度越一致，刻蝕精度越高，越容易控制。
    
     對準系統是光刻機的另一核心部件。制造高精度對準系統需要近乎完美的精密機械加工，這也是全球光刻機的技術難點。許多美國和德國品牌的光刻機都有專門的專利機械工藝設計，如可以有效地避免軸承機械摩擦，所有空氣動力軸承的專利設計技術都帶有擦除誤差。
    
     當然，顯微光學系統和CCD探測器是光刻機對準系統的另一個難題，根據操作的簡單和精度，光刻機的對準模式可分為手動、半自動和自動三種。
    
     為縮短我國與國際先進光刻技術的差距，打破國際高端光刻機市場的壟斷和制約，在02s規劃中確定了發展高端光刻機的戰略目標。我國特殊項目，32-22nm設備技術前瞻性研究的重點任務包括EUV光刻的關鍵技術。長春光機研究所、成都光電子研究所、上海光機研究所、微電子研究所、北京理工大學、哈爾濱理工大學、華中科技大學等研究所。科研院所共同解決了關鍵問題。
    
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