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影響AFM電子顯微鏡量測(cè)誤差的原因簡(jiǎn)介
雙傾斜之影像疊合法量測(cè)100nm以下線寬技術(shù)研究
探討使用原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope, AFM)進(jìn)行次微米級(jí)線寬量測(cè)，提出以雙傾斜疊合法量測(cè)線寬(Critical Dimension, CD)，
本研究發(fā)展此技術(shù)同時(shí)能應(yīng)用于奈米結(jié)構(gòu)之3D尺寸量測(cè)。
影響量測(cè)誤差的要因，除了一般AFM會(huì)碰到的問(wèn)題(如量測(cè)追溯之不確定度及AFM量測(cè)熱漂移等)，也有探頭下針磨耗、探針量測(cè)磨耗、探
針半徑補(bǔ)償之誤差、影像疊合誤差等因素。由雙傾斜疊合法量測(cè)CD線寬實(shí)驗(yàn)，量測(cè)結(jié)果與TEM量測(cè)比較，二者約有2.2 nm~2.8 nm偏差量。
在半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展上，關(guān)鍵尺寸(Critical dimension, CD)已跨入100 nm以下，次100 nm的半導(dǎo)體傳輸線的外形(shape)對(duì)電的傳輸效應(yīng)不可忽略，
因而半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)關(guān)鍵外形(critical shape)越來(lái)越重要，一般把關(guān)鍵外形分為四部分：Top CD、Bottom CD、Height與Side-wall Angle(SWA)四個(gè)關(guān)鍵外形參，
我們稱(chēng)此四者為關(guān)鍵尺寸；值得注意的是隨著半導(dǎo)體制程線寬的縮小，未來(lái)為了更準(zhǔn)確量測(cè)關(guān)鍵外形，待測(cè)參數(shù)的數(shù)目將會(huì)增加，如LER(Line Edge Roughness)
與LWR(Line Width Roughness)。
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