通州使用SEM電子顯微鏡量測焊接熔深的微觀結(jié)構(gòu)

作者：發(fā)布時間：2022-07-02 20:45:14點擊：4048

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使用SEM電子顯微鏡量測焊接熔深的微觀結(jié)構(gòu)

制程參數(shù)對微流道熱影響區(qū)之影響

利用 SEM電子顯微鏡所拍攝典型的微流道熱影響區(qū)金相圖，

顏色較暗處為其熱影響區(qū)

有制程條件下，微流道熱影響區(qū)縱深范圍均約 50μm，誤差±5μm。

可知，雷射淬火產(chǎn)生的變形相當(dāng)小，因為它是高能量熱源的移動淬火，

熱影響區(qū)比普通淬火方法小得多；另外將雷射作用于工件之試驗

區(qū)時，由于基材的質(zhì)量遠大于工件之試驗區(qū)，使工件

試驗區(qū)急遽冷卻，屬于自冷淬火，亦將導(dǎo)致工件變形

量極小且熱影響區(qū)較小。

雖然其制程條件不同，但在所設(shè)定的制程條件下，其所

供給的熱能決大部份是用于將硅芯片直接汽化，導(dǎo)致

其微流道寬度與深度的差異。而對于其剩馀的熱能所

引起的熱影響區(qū)則無明顯之差異。因此，微流道熱影

響區(qū)在各制程參數(shù)下，其影響的變化差異并不明顯

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