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細微小元件和零部件制程品檢顯微鏡
在半導體元件制程中，硅芯片表面的金屬污染是一為人熟知的問題,所造成的良率和元件可靠度下降的后果,
也一直是半導體制程中令人關心的問題。
傳統清洗方法,需使用大量的溶劑和去離子水清洗硅芯片,特殊制程更需用包含強酸強堿溶液在內的清洗方法,
因而產生大量廢水和酸堿液, 造成環保問題及增加處理成本。因此本論文的重點,即在于嘗試使用超臨界流體
清洗硅
芯片表面的金屬雜質,希望能建立一高效率且無廢液廢水的清洗方法。
超臨界流體具有液體般的溶解度和氣體般的擴散
能力,能迅速有效的清洗硅芯片表面。超臨界流體的溶解度可經由溫度和壓力的調整而輕易改變,
并藉由添加少量的修飾劑,可再增加其溶解極性污染物的能力。
Ⅰ、開發使用添加各種修飾劑的超臨界二氧化碳流體以清洗硅芯片的新制程,我們使用自行制備的污染硅芯片
,利用高感度二次離子質譜儀(SIMS)分析以評估其清洗效率,以水做為修飾劑可以得到更佳的清洗效果;
利用掃描式電子顯微鏡(SEM)及原子力顯微鏡(AFM)等分析方法觀察硅芯片于清洗前后表面形態的變化,
以評估超臨界二氧化碳流體清洗法的可行性。
火山巖則是噴發到地表后才冷卻安山巖和玄武巖都是比較淺層的火山巖 深成巖則有花崗巖閃長巖這些...從顯微照片可以發現... 花崗巖的不同礦晶間非常密合 安山巖則比較象是礦物間有填充物質的感覺
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