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利用顯微鏡觀察矽晶片表面的金屬網結構
逐步改變蝕刻濃度條件，并利用顯微鏡觀察其結果
單晶矽制作金字塔結構，在傳統上利用氫氧化鉀于矽晶片上產生非等向性蝕刻，
以制作金字塔反射結構。由于，反應進行時會于矽晶片表面釋放出氫氣，
所以通常會于溶液中加入異丙醇來降低氣泡所帶來的影響。在本研究中，
利用適當開口尺寸的金屬網目，放于矽晶片表面，
如同遮蔽物般將離開矽晶片表面的氣泡捕捉于網目之間，
這使得非等向性蝕刻反應進行時所產生的氣泡轉為氣態遮罩。
利用這個方法，成功的制作出3μm ~ 8μm的金字塔結構，
而400nm ~ 1000nm不同波長的反射率量測平均值小于18%。
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