西城影響AFM電子顯微鏡量測誤差的原因簡介

作者：發(fā)布時間：2022-07-02 20:54:20點擊：1889

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影響AFM電子顯微鏡量測誤差的原因簡介

雙傾斜之影像疊合法量測100nm以下線寬技術(shù)研究

探討使用原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope, AFM)進行次微米級線寬量測，提出以雙傾斜疊合法量測線寬(Critical Dimension, CD)，

本研究發(fā)展此技術(shù)同時能應(yīng)用于奈米結(jié)構(gòu)之3D尺寸量測。

影響量測誤差的要因，除了一般AFM會碰到的問題(如量測追溯之不確定度及AFM量測熱漂移等)，也有探頭下針磨耗、探針量測磨耗、探

針半徑補償之誤差、影像疊合誤差等因素。由雙傾斜疊合法量測CD線寬實驗，量測結(jié)果與TEM量測比較，二者約有2.2 nm~2.8 nm偏差量。

在半導體工業(yè)發(fā)展上，關(guān)鍵尺寸(Critical dimension, CD)已跨入100 nm以下，次100 nm的半導體傳輸線的外形(shape)對電的傳輸效應(yīng)不可忽略，

因而半導體結(jié)構(gòu)關(guān)鍵外形(critical shape)越來越重要，一般把關(guān)鍵外形分為四部分：Top CD、Bottom CD、Height與Side-wall Angle(SWA)四個關(guān)鍵外形參，

我們稱此四者為關(guān)鍵尺寸；值得注意的是隨著半導體制程線寬的縮小，未來為了更準確量測關(guān)鍵外形，待測參數(shù)的數(shù)目將會增加，如LER(Line Edge Roughness)

與LWR(Line Width Roughness)。

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